Главная » 2016 » Февраль » 6 » Samsung объявляет о начале массового производства микросхем на основе 14-нм технологии 2 поколения
21:10
Samsung объявляет о начале массового производства микросхем на основе 14-нм технологии 2 поколения

Samsung Electronics, мировой лидер в сфере полупроводниковых технологий, объявляет о начале массового производства микросхем с применением усовершенствованного 14-нанометрового технологического процесса LPP (Low-Power Plus). Это второе поколение 14-нм технологии изготовления FinFET транзисторов.

$IMAGE1$

     Лидер в массовом производстве усовершенствованных FinFET полупроводников, компания Samsung еще в I квартале 2015 года объявила о запуске производства процессора Exynos 7 Octa на базе инновационной технологии 14-нм LPE (Low-Power Early). Разработка 14-нм технологии LPP второго поколения подтвердила технологическое лидерство Samsung в области разработки и производства полупроводников. Использование новой технологии обеспечило непревзойденную производительность и энергетическую эффективность нового процессора Exynos 8 Octa, а также множества других продуктов, разработанных партнерами и выпускающимися по технологии Samsung FinFET. Среди них процессор Qualcomm® Snapdragon™ 820 от Qualcomm Technologies, который будет применяться в мобильных устройствах уже в первой половине 2016 года.

     «Мы рады начать выпуск продукции по нашей передовой 14-нм технологии FinFET второго поколения, обеспечивающей высочайший уровень производительности и энергоэффективности, — заявил исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу System LSI Business, Samsung Electronics, Чарли Бэи (Charlie Bae). — Samsung и далее будет сохранять звание технологического лидера, предлагая усовершенствованные варианты 14-нанометровой FinFET технологии».

     Внедрение трехмерной FinFET структуры в полупроводниковые устройства позволяет добиться значительного увеличения производительности при снижении потребления энергии. Новый 14-нанометровый LPP процесс обеспечивает увеличение скорости вычислений и снижение потребляемой мощности на 15% по сравнению с предыдущим технологическим процессом 14-нм LPE за счет более совершенной структуры транзисторов и оптимизации процессов. Кроме того, использование полностью обедненных FinFET транзисторов предоставляет дополнительные преимущества при производстве и открывает большие возможности для масштабирования.

     Благодаря превосходным характеристикам 14-нм FinFET технология является оптимальной для решений в области мобильной связи и интернета вещей и позволяет удовлетворить растущий спрос в высокопроизводительных и энергоэффективных устройствах с самым широким спектром применения – от сетевой инфраструктуры до автомобильной электроники.

     Samsung Electronics Co., Ltd. претворяет в жизнь передовые идеи и внедряет инновационные технологии, вдохновляя людей и формируя будущее потребительского рынка в мире телевизоров, смартфонов, носимых устройств, планшетов, камер, бытовых приборов, принтеров, медицинских устройств, сетевых систем, полупроводников и светодиодных решений. Компания является одним из лидеров в области развития инновационной индустрии Интернета вещей (Internet of Things), в частности благодаря реализации концепции «Умного дома» (Smart Home) и «Цифрового здравоохранения» (Digital Health). В 84 странах у нас работают свыше 319 тысяч человек, а объем годовых продаж составляет 196 млрд. долл. США. Для получения более подробной информации, посетите наш сайт www.samsung.com и наш официальный блог global.samsungtomorrow.com.

Категория: информация | Просмотров: 252 | Добавил: vuqar97 | Теги: FinFeet, 14nm, Samsung, microsheme, 14-нм микросхемы | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
avatar